半导体同时具有允许电流通过的“导体”和不允许电流通过的“绝缘体”的特性。离子注入工艺向纯硅中添加杂质以赋予其导电性能。半导体，可以根据需要使其导电或绝缘。重复光刻、蚀刻和离子注入步骤，在晶圆上创建出无数的半导体电路。为了使这些电路工作，必须从外部施加电信号。金属互连沿着半导体电路图案布置，使得电信号通过电路传输。金属互连：电气高速公路金属互连工艺利用了金属的导电特性。在此步骤中，在半导体的电路图案上绘制金属线。但并非所有金属都可以用于金属互连。为了在半导体芯片中使用的质量，金属必须满足以下条件。满足上述条件的金属包括铝（AI）、钛（Ti）和钨（W）。好吧，那么金属互连是如何形成的呢？铝是半导体芯片中最常用的金属互连材料。金属很好地粘附在氧化层（二氧化硅）上并且易于加工。也就是说，铝 (Al) 和硅 (Si) 在相遇时往往会混合。这意味着在硅晶片上铺设铝线时，连接处可能会发生断裂。为了防止这种情况发生，沉积了另一种金属作为铝和晶圆结之间的屏障。这种金属被称为阻挡金属。通过形成双层膜，可以防止结的失效。金属线的铺设也使用沉积工艺进行。晶片被放置在真空室中，在晶片上形成金属薄膜。通过持续的研究和开发，半导体工艺日益完善和发展。例如，金属互连工艺正在向化学气相沉积 (CVD) 过渡，以在较小的面积上形成更均匀的薄膜。迄今为止，我们已经研究了在制造半导体芯片的过程中制造晶圆以及设计和创建电路图案所涉及的过程。下一次，我们将研究生产完美半导体产品的最后步骤：测试和封装。

注：文中图片来源于三星公开资料